文 | 半导体产业纵横

近期，大家存储行业正履历一场“量价博弈” 的极度周期。一方面，AI 数据中心带来的强劲需求推动存储芯片价钱络续飙升，行业步入上行通说念；另一方面，国表里头部企业纷繁掀翻扩产飞腾，试图霸占市集份额。

半导体洁净室是芯片制造的基础设施，其时期要乞降建树难度随制程节点微缩而指数级普及。在存储芯片价钱飙升、大家扩产遇阻的布景下，洁净室建树已成为制约产能开释的要津瓶颈，让这场产业升级之路充满挑战。

存储芯片价钱飙升，行业进入强周期

行业数据显露，此前三星、SK海力士、好意思光三大存储巨头在DDR4等传统存储芯片边界的月产能悉数仍少见十万片，而2025年这一数字已较此前缩减过半，预测2026年有关产能将基本清零。与之形成显然对比的是，AI奇迹器边界对DRAM的需求呈爆发式增长，第三方市集调研数据显露，2026年奇迹器端DRAM需求将较2025年同比激增21%。

值得详尽的是，大家90%的DRAM产能辘集于上述三大巨头，头部厂商正络续将产能向AI奇迹器专用高端DRAM产物歪斜，径直导致传统存储芯片市集供需失衡，呈现“粥少僧多”的垂死态势。价钱端已率先响应这一格式变化：2025年5月至11月，DDR4内存价钱实现辘集6个月高潮，其中第三季度同比涨幅高达171.8%，第四季度DRAM合约价同比涨幅进一步扩大至75%以上；其他传统存储品类同步跟涨，监控硬盘价钱累计高潮超30%，监控内存卡、挥霍级SSD等产物价钱实现翻倍，NAND闪存边界中闪迪有关合约价涨幅亦达到50%。

据TrendForce（集邦计算）最新发布的存储现货价钱趋势讲演，受买家抢购报价影响，DRAM现货价钱飙升，其中DDR5芯片在一周之内高潮30%，原因是举座供应照旧垂死，且主要模组厂商络续遣散出货量。NAND方面，由于现货供应有限，交游较为零碎，跟着市集趋紧，预测价钱将进一步高潮。

好意思光也在其事迹评释会上暗示，公司2026年全年高带宽内存（HBM）的供应量已就价钱和数目与客户达成条约，一起售罄；何况，公司还预测HBM总潜在市集（TAM）将在2028年将达到1000亿好意思元（2025年为350亿好意思元），较此前教唆提前两年。好意思光预测，到2028年，HBM总潜在市集的复合年增长率（CAGR）约为40%。

价钱高潮的背后，是整机制酿成本的显耀抬升。结尾劝诱如奇迹器、PC乃至智妙手机，均面对成本压力，或将被动调高售价，进而抵挥霍市集形成收敛效应。

大家掀翻扩产潮，聚焦高端AI存储

面对供不应求的时事，各大存储厂商纷繁加速扩产，尤其聚焦于高附加值、面向AI应用的高端产物。

三星电子已徐徐普及DRAM与NAND闪存产能，并于2024年11月重启平泽工场第五条坐褥线建树，预测2028年投产。其计策重点显然向DDR5和HBM（高带宽内存）歪斜，优先保险AI客户订单。

SK海力士则鼓舞清州新建的M15X工场，专攻DRAM及AI存储产物；同期，其龙仁半导体集群首座制造厂建树提速，限制相称于六座M15X工场，原定2027年完工。

好意思光的爱达荷州第一座晶圆厂预测将于2027年年中运转坐褥晶圆，早于此前预期；爱达荷州第二座晶圆厂将于2026年动工，2028年插足运营；纽约晶圆厂权略于2026岁首破土动工，2030年及以后运转供应产物。在NAND边界，好意思光正在鼓舞G9节点的量产，数据中心和客户端固态硬盘（SSD）的良率均实现矜重普及。

好意思光在事迹评释会上暗示，权略将2026财年的成本支拨增多至约200亿好意思元，高于此前揣摸的180亿好意思元。这一增长将主要用于撑持HBM供应才智以及2026日积年1-gamma的供应。好意思光正在提前劝诱订单并加速安设期间表，以最大化产出才智。好意思光科技公司还在大家制造基地进行投资，以增多供应，撑持永远需求。

洁净室是芯片制造的基础设施

半导体洁净室是芯片制造的基础设施，其时期要乞降建树难度随制程节点微缩而指数级普及。

洁净室，又称无尘室，是指通过戒指空气中的微粒浓度、温湿度、压差等参数，提供特定洁净度级别的受控环境空间。洁净室的降生源于1950年代好意思国军事工业的需求，那时好意思军发现雷达等电子仪器故障率奇高，每年爱戴费以至超出原价，其后在坐褥车间引入高效空气过滤器后才处治问题，这标识着当代洁净室的降生。1960年代，NASA在阿波罗权略中开发了百级洁净履行室，愚弄垂直层流计算和HEPA高效过滤器实现了前所未有的微粒戒指水平，为天外探索提供了要津时期撑持。

洁净室时期的演进与半导体工艺发展细致联贯。1970年代，跟着集成电路的茂密发展，洁净时期运转快速发展。从1990年代运转于今，跟着芯片线宽不休松开，洁净时期运转起飞。

半导体洁净室的中枢戒指参数包括颗粒浓度、温湿度、气流组织与压差、振动戒指、气态分子玷秽物(AMC)和静电留意等，这些参数共同组成了芯片制造的精密环境。

颗粒浓度戒指是最基础亦然最要津的参数。洁净度级别是一个用来量度环境中空气颗粒物的数目分类轨范，不同的洁净度等第对应着不同的颗粒物浓度，颗粒物的浓度越低，洁净度等第越高。洁净室按粒径在0.1-5μm范围的粒子浓度分为1-9级 。其中，ISO 1级要求每立方米空气中≥0.1μm的颗粒不卓越10个，ISO 3级不卓越1000个 。不同制程节点对洁净度的要求各异显耀：28nm制程频繁需要ISO 5级(每立方米≤3520个0.5μm颗粒)，7nm以下制程需达到ISO 3级，而3nm制程则需ISO 1级环境。

洁净室成扩产“隐形瓶颈”

尽管扩产意愿浓烈，但实质落地却遭受“看不见的天花板”——洁净室建树瓶颈。

在晶圆厂总投资中，约80%用于劝诱采购，其余20%用于厂房建树，包括土建工程、机电安设、洁净室建树以及配套设施等。其中洁净室是中枢组成部分。洁净室为芯片制造、先进封装、奇迹器拼装等提供温湿度、微粒浓度、气流等严格受控的环境，是产能推广的前提条目。频繁，厂务工程及洁净室投资占形状总投资的10%–20%。

晶圆厂在大幅新增产能之前，需要依赖于前期洁净室的建树。关于存储芯片这么的精密制造产业而言，洁净室的建树质地径直决定了产物良率和性能，尤其是跟着工艺制程尺寸络续松开，对洁净室的环境戒指要求愈发严苛。当今，先进制程存储芯片坐褥所需的洁净室已达到 ISO 1 级轨范，即每立方米空气中大于就是 0.1 微米的颗粒数不卓越 10 个，这么的高轨范对建树时期和东说念主才建议了极高要求。

好意思光暗示，当今公司正专注于最大化现存产能的产量、鼓舞行业最先的时期节点量产，并投资建树新的洁净室以普及供应才智。举例在日本广岛工场新增洁净室空间以撑持先进节点，扩大坐褥限制并优化工场经济效益。

值得详尽的是，由于HBM与DDR5的产能置换比例为3:1，且改日几代HBM的这一置换比例还将进一步提高，HBM需求的急剧增出息一步加重了存储供应垂死。要得志这种增长的需求，需要稀奇的洁净室空间，而大家范围内洁净室建树的委用周期正在蔓延。这些供需身分共同导致DRAM和NAND行业供应垂死，预测这种垂死情景将络续到2026日积年及以后。

现时，大家洁净室市集正面对“需求激增、供给不及” 的逆境。一方面，AI 驱动的存储扩产潮使得洁净室建树需求短期内爆发式增长；另一方面，行业供给才智却难以同步跟进。此前参与洁净室建树的主力供应商已处于满负荷运转状态，而洁净室建树波及机电安设、环境戒指、精密调试等多个专科边界，中枢工程师的培养周期长（频繁为2-3年），短期内无法快速补充东说念主才缺口。这一供需失衡径直导致部分企业的扩产订单出现“溢出”，形状建树周期被动蔓延，原来权略的产能开释期间节点面对推迟风险。

追念

存储行业的本轮上行周期由AI需求点火，但能否络续罢了事迹，取决于产能开释的速率与效果。现时，洁净室等基础设施的制约，正成为制约扩产节律的要津变量。那些能提前锁定工程资源、优化建树经过、或具备垂直整合才智的企业，将不才一轮竞争中占据先机。

对中国企业而言开云体育，除了加速时期研发与产能布局，还需疼爱供应链韧性建树——包括洁净室工程、特种气体、超纯水系统等“幕后”设施的自主可控。只消买通从芯片计算到工场落地的全链条堵点，才能实在把抓住AI期间带来的存储红利。